Sendestufen

Beschreibung / Inhalt
Das vorliegende Dokument beschäftigt sich mit Hochfrequenz-Leistungsverstärkern. Es wird erklärt, dass Leistungsanpassung für den Ausgang des Transistors erforderlich ist, aber nicht für den Eingang. Die maximale Leistungsverstärkung ist bei höheren Leistungen wesentlich kleiner. Es wird darauf hingewiesen, dass bei Großsignalverstärkern die Emitterströme größer als 25 mA sind und der Realteil des Transistoreingangswiderstandes annähernd rbb wird.

Es werden die Betriebsarten von Großsignalverstärkern (A-Betrieb, B-Betrieb und C-Betrieb) erklärt und Vor- und Nachteile aufgelistet. Es wird gezeigt, wie ein Stromflußwinkel unter 90° erzeugt werden kann und wie der Transistorausgang angepasst wird. Es werden verschiedene Anpassungsfilter vorgestellt und erklärt, wie sie die Belastung des Kreises durch den Ausgangswiderstand des Transistors gering halten und unerwünschte Frequenzen dämpfen.

Es wird auch erörtert, wie das Anpassungsfilter die Kopplung der Basis-Emitter-Strecke zur vorgeschalteten Stufe bilden soll und wie ein Transistor als Frequenzvervielfacher verwendet werden kann. Schließlich wird erklärt, dass Frequenzvervielfachung aus verschiedenen Gründen durchgeführt wird, wie zum Beispiel die Vermeidung der Rückwirkung der Sendeendstufe auf die Oszillatorfrequenz und die Erhöhung der Frequenzstabilität bei Sendern mit sehr hoher Frequenz.
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Auszug aus Referat
Hochfrequenz-Leistungsverstärker: Bei Transistorsendern kommen Kleinsignalstufen, meist als Vorstufen, sowie Großsignalstufen als Treiber- und Endstufen zur Anwendung. Für den Ausgang des Transistors wird Leistungsanpassung vorrausgesetzt, für den Eingang nicht. Ebenso muß der Ausgangswiderstand unabhängig vom Abschluß des Einganges und der Eingangswiderstand unabhängig vom Abschluß des Ausganges sein. Die maximale Leistungsverstärkung VLmax wird bei höheren Leistungen wesentlich kleiner. Dies resultiert aus der Abnahme der Stromverstärkung bei größeren Emitterströmen, bei denen die Eingangskapazität CBE ansteigt. Da am Eingang des Transistors eine Spannungsteilung mit dem Basisbahnwiderstand (rbb) und der Eingangskapazität CBE stattfindet und allein die Spannung an der Kapazität steuernd wirkt, bedeutet eine Erhöhung von CBE oder steigende Frequenz eine Abnahme von . Dadurch fällt der größte Teil der Eingangsspannung an rbb ab und die Stromverstärkung sinkt (siehe folgende Bilder). Bei Großsignalverstärkern sind die Emitterströme größer als 25mA, sodaß der Realteil des Transistoreingangswiderstandes annähernd rbb wird. Dieser ist unabhängig vom Emitterstrom, jedoch wird der Eingangswiderstand durch kapazitive Nebenschlüsse bei zunehmender Frequenz komplex und im Betrag kleiner. Die Größe von rbb wirkt sich stark auf die Großsignalverstärkung aus. Betriebsarten von Großsignalverstärkern: Ein HF-Leistungsverstärker soll eine möglichst hohe Verstärkung bei einem guten ...
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