Feldeffekttransistor - JFET

Beschreibung / Inhalt
Das vorliegende Dokument beschäftigt sich mit Feldeffekttransistoren (FETs), ihrer Klassifikation und Anwendung in Grundschaltungen. Es gibt sechs verschiedene Typen von FETs, die sich durch die Art der Trennung von Gate und Kanal unterscheiden. Die am häufigsten verwendeten Typen sind Sperrschicht-FETs und MOSFETs. Letztere haben eine dünne SiO2-Schicht, die das Gate vom Kanal trennt und verhindert, dass Gatestrom fließt. Die Eingangswiderstände von FETs liegen zwischen 1010 und 1013 Ω. Der Text beschreibt die Sourceschaltung, die Drainschaltung und die Gateschaltung von FETs und gibt an, welche Elektroden auf konstantem Potential liegen. Die Sourceschaltung entspricht der Emitterschaltung bei bipolaren Transistoren und hat einen sehr hohen Eingangswiderstand. Die Drainschaltung hat einen höheren Eingangswiderstand als die Sourceschaltung und kann die Eingangskapazität verkleinern.

In einer Übung wird erklärt, wie man eine Verstärkerschaltung dimensioniert und welche Parameter dabei berücksichtigt werden müssen. Die Meßschaltung und Schaltungsberechnungen sind in Grafiken dargestellt. Zusätzlich sind Tabellen angegeben, in denen die gemessenen Werte für die Steuerkennlinie und das Ausgangskennlinienfeld eines n-Kanal-J-FET (BF245) aufgeführt sind.

Abgeschlossen wird das Dokument mit einer Grafik, welche die Schaltzeichen von FETs zeigt. Insgesamt gibt das Dokument einen guten Überblick über die Funktionsweise und Grundschaltungen von FETs, sowie eine praktische Anwendung.
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Auszug aus Referat
Feldeffekttransistoren Feldeffekttransistoren sind Halbleiter, die im Gegensatz zu den normalen, bipolaren Transistoren mit einem elektrischen Feld, d.h. leistungslos gesteuert werden. 1 Klassifikation Man unterscheidet sechs verschiedene Typen von Feldeffekttransistoren (Abkürzung Fet).Das Gate G ist die Steuerelektrode. Mit ihm läßt sich der Widerstand zwischen Drain D und Source S steuern. Die Steuerspannung ist UGS. Viele Fets sind symmetrisch, d.h. sie ändern ihre Eigenschaften nicht, wenn man S und D vertauscht. Bei Sperrschichtfets ist das Gate durch einen pn- bzw. np- übergang vom Kanal DS getrennt. Bei richtiger Polung von UGS sperrt diese Diode und isoliert das Gate; bei umgekehrter Polung wird sie leitend. Bei Mosfets isoliert eine dünne SiO2-Schicht das Gate vom Kanal DS. Daher kann bei ihnen nie ein Gatestrom fließen, unabhängig von der Polung des Gates. Die im Betrieb auftretenden Gateströme liegen bei Sperrschichtfets zwischen 1 pA und 1 nA; bei Kleinsignal-Mosfets sind sie zum Teil sogar noch kleiner. Damit verbunden sind Eingangswiderstände von 1010 bis 1013 . Genauso wie es pnp- und npn- Transistoren gibt, gibt es auch p- und n-Kanal-Fets. Bei den n-Kanal-Fets wird der Kanalstrom um so kleiner, je weiter das Gatepotential sinkt. Umgekehrt ist es bei p-Kanal-Fets. Dies erkennt man auch an den Kennlinien. Der übersichtlichkeit der Darstellung wegen verwenden wir im folgenden n-Kanal-Fets und setzen p-Kanal-Fets nur dann ein, wenn ein besonderer Anlaß dafür ...
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