Fehlersuche auf Integrierten Schaltkreisen

Beschreibung / Inhalt
Das vorliegende Dokument aus dem Jahr 1986 beschäftigt sich mit der Fehlersuche auf integrierten Schaltkreisen (IC's). Es wird darauf eingegangen, dass durch die hohe Integrationsdichte immer mehr Transistoren in einem IC zusammengefasst werden und es somit zunehmend schwieriger wird, niedrige Ausschussraten zu erreichen. Deshalb ist es wichtig, die Ursache für Ausfälle durch Messungen an den IC's und geeignete Fehlermodelle zu finden.

Im weiteren Verlauf des Dokuments wird auf das Testen analoger Schaltkreise und grundlegende Messmethoden, wie jene für die Messung von Ein- und Ausgangswiderständen eingegangen. Es wird aufgezeigt, dass bei analogen IC's sämtliche Kennwerte von einer Vielzahl von Parametern abhängen und eine Vergleichbarkeit der Ergebnisse nur durch eine normierte Messschaltung und einen bestimmten Arbeitspunkt erreicht werden kann.

Zudem werden allgemein anwendbare Messmethoden beschrieben, wie die Betragsmessung zur Bestimmung von reellen Widerständen. Im Abschnitt über das Testen digitaler IC's wird auf Fehlerursachen und -modelle, Testmustererzeugung und das Testen digitaler Speicher eingegangen.

Das Dokument gibt einen Einblick in die Komplexität der Fehlersuche auf IC's und zeigt, dass genaue Tests wichtig sind, um Ausschussraten zu minimieren und Kosten zu sparen.
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Auszug aus Referat
Fehlersuche auf Integrierten Schaltkreisen 1. EHT - Referat Ronald Hasenberger 87bN 4. Dezember 1986 Inhaltsverzeichnis 1. Allgemeines 1 2. Testen analoger Schaltkreise 2 2.1 Informationsgehalt von Datenblättern 2 2.2 Allgemeine Messungen 3 2.2.1 Ein- und Ausgangswiderstandsmessungen 4 2.2.2 Messung von komplexen Ein- und Ausgangs- widerständen 4 2.2.3 Messung von kleinen Strömen 6 2.2.4 Messung von kleinen Spannungsdifferenzen 7 2.3 Prüfstrategien und Prüfmittel 8 3. Testen digitaler IC`s 10 3.1 Fehlerursachen und Fehlermodelle 10 3.1.1 Physikalische Fehlermöglichkeiten 11 3.1.2 Strukturorientierte Fehlermodelle 12 3.1.3 Funktionsorientierte Fehlermodelle 16 3.2 Testmustererzeugung 17 3.2.1 Testmuster für kombinatorische Schaltungen 17 3.2.2 Testmuster für sequentielle Schaltungen 20 3.3 Testen digitaler Speicher 22 3.3.1 Speichertestmuster 23 Anhang Literaturverzeichnis 26 1. Allgemeines Durch die immer größer werdende Integrationsdichte von integrierten Schaltkreisen (IS, IC) wird es für die Hersteller immer schwieriger, niedrige Ausschußraten zu erreichen. War es bei der Herstellung von Transistoren durchaus noch akzeptabel, wenn von 1000 Stück einer Ausschua war, so würde diese Fehlerrate bei heutigen IS, die bis zu 250000 Transistoren als Funktionseinheit zusammenfassen dazu führen, daa keiner dieser IC`s mehr funktionstüchtig wäre. Das Bewältigen dieser Probleme ist unter anderem dadurch möglich geworden, daa durch Messungen an den IC`s und geeignete Fehlermodelle ...
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