Grundschaltungen & Bauelemente der Halbsleitertechnik

Schlagwörter:
Referat, Hausaufgabe, Grundschaltungen & Bauelemente der Halbsleitertechnik
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Beschreibung / Inhalt
Das Dokument beschreibt die Grundschaltungen und Bauelemente der Halbleitertechnik. Es geht dabei um Halbleiterwerkstoffe wie Germanium, Silizium, Selen und Galliumarsenid, die nur bedingt leitfähig sind und dotiert werden müssen, um ihre Leitfähigkeit anzupassen. Es werden Akzeptoren (p-Leiter) und Donatoren (n-Leiter) erklärt sowie Majoritäts- und Minoritätsträger beschrieben. Der pn-Übergang wird ebenfalls erklärt und wie dieser in Durchlassrichtung und Sperrrichtung funktioniert. Insgesamt geht es darum, wie Halbleiter durch Dotierung und pn-Übergang verwendet werden, um elektronische Schaltungen zu bauen.
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Auszug aus Referat
GRUNDSCHALTUNGEN & BAUELEMENTE DER HALBLEITERTECHNIK Halbleiterwerkstoffe sind Materialien, die nur bedingt leitfähig sind. Als Halbleiterwerkstoffe eignen sich zum Beispiel die chem. Elemente Germanium Ge , Silizium Si , Selen Se und Galliumarsenid GaAs . Prinzipiell läßt sich sagen, dass Halbleiter mit steigender Temperatur eine bessere Leitfähigkeit aufweisen, als bei tiefen Temperaturen. Am absoluten Nullpunkt (0 K -272 C) wirken sie wie Isolatoren. Um die Leitfähigkeit dieser vierwertigen Halbleitermaterialien bestimmten Aussenbedingungen entsprechend anpassen zu können, werden sie dotiert. Unter dem Begriff dotieren versteht man ein gezieltes Verunreinigen des Werkstoffes durch das Einführen einer gewissen Anzahl von Fremdatomen in das Kristallgitter des ursprünglichen Werkstoffes. So werden zum Beispiel drei- oder fünfwertige Atome eingesetzt, welche auf der aussersten Schale der Halbleiterwerkstoffatome als Valenzelektronen integriert werden. Durch diesen Dotierungsvorgang stehen bei dreiwertig dotierten Halbleitermaterialien ein Bindungselektron weniger und bei fünfwertig dotierten Materialien eines mehr zum Ladungstransport zur Verfügung. Um eine Vorstellung von der Dotierungsmenge zu erhalten, spricht man von einer starken Dotierung, wenn pro 102 - 104 Si-Atomen ein Fremdatom im Kristallgitter eingeführt wurde. Equivalent hierzu gelten pro Fremdatom 106 - 109 Atome als gering dotiert. Je nach Dotierungsverfahren ergeben sich Akzeptoren bzw. p-Leiter oder ...
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Autor:
Kategorie:
Sonstiges
Anzahl Wörter:
803
Art:
Referat
Sprache:
Deutsch
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